ما قبلا دیدیم که ترانزیستور پیوندی دو قطبی با استفاده از دو پیوند PN در مسیر اصلی حمل جریان بین پایه های امیتر و کلکتور ساخته شده است. ترانزیستور پیوندی اثر میدان هیچ پیوند PN ای ندارد اما به جای آن یک قطعه ی باریک ازمواد نیمه هادی با مقاومت بالا دارد که به شکل یک کانال سیلیکون از نوع N یا نوع P است که  دو سر کانال به نام های درین و سورس است.

 دو نوع اصلی از ترانزیستور پیوندی اثر میدان وجود دارد، JFET کانال N و JFET کانال P. کانال JFET نوع N آلائیده شده است با ناخالصی دهنده ها ، به این معنی که جاری شدن جریان داخل کانال منفی است (به خاطر همین به آن می گویند کانال N) در قالب الکترون ها.

همچنین کانال JFET نوع P ناخالص شده است با ناخالصی پذیرنده ها به این معنی که جاری شدن جریان در قالب حفره ها داخل کانال است (به همین دلیل به آن می گویند کانال P). JFET کانال  نسبت به نوع کانال P معادل آن N قابلیت هدایت بیشتری دارد ( و مقاومت کم تر) ، چون الکترون ها داخل یک رسانا در مقایسه با حفره ها تحرک زیادتری دارند. این JFET کانال N را در مقایسه با کانال P به یک رسانای کارآمدتر تبدیل می کند.

ترانزیستورها قطعات فعال سه پایه هستند که از مواد نیمه هادی ساخته شده اند که می تواند با استفاده از یک ولتاژ سیگنال کوچک به عنوان رسانا یا نارسانا عمل کند. توانائی ترانزیستور با تغییر بین این دو حالت، دو کاربرد اساسی ترانزیستورها را مشخص میکند: سوئیچینگ (دیجیتال) یا تقویت (آنالوگ).