- <<
بازاربرق
جهت ورود به سایت بازاربرق
لینک دوستان
پیوندهای روزانه
نویسنده : میریان
بازدید :452
ما قبلا دیدیم که ترانزیستور پیوندی دو قطبی با استفاده از دو پیوند PN در مسیر اصلی حمل جریان بین پایه های امیتر و کلکتور ساخته شده است. ترانزیستور پیوندی اثر میدان هیچ پیوند PN ای ندارد اما به جای آن یک قطعه ی باریک ازمواد نیمه هادی با مقاومت بالا دارد که به شکل یک کانال سیلیکون از نوع N یا نوع P است که دو سر کانال به نام های درین و سورس است.
دو نوع اصلی از ترانزیستور پیوندی اثر میدان وجود دارد، JFET کانال N و JFET کانال P. کانال JFET نوع N آلائیده شده است با ناخالصی دهنده ها ، به این معنی که جاری شدن جریان داخل کانال منفی است (به خاطر همین به آن می گویند کانال N) در قالب الکترون ها.
همچنین کانال JFET نوع P ناخالص شده است با ناخالصی پذیرنده ها به این معنی که جاری شدن جریان در قالب حفره ها داخل کانال است (به همین دلیل به آن می گویند کانال P). JFET کانال نسبت به نوع کانال P معادل آن N قابلیت هدایت بیشتری دارد ( و مقاومت کم تر) ، چون الکترون ها داخل یک رسانا در مقایسه با حفره ها تحرک زیادتری دارند. این JFET کانال N را در مقایسه با کانال P به یک رسانای کارآمدتر تبدیل می کند.
مشاهده تگ ها:آمار
آمار مطالب
کل مطالب : 230
کل نظرات : 2
آمار کاربران
افراد آنلاین : 80
تعداد اعضا : 0
آمار بازدید
بازدید امروز : 566
بازدید دیروز : 145
ورودی امروز گوگل : 4
ورودی گوگل دیروز : 17
آي پي امروز : 282
آي پي ديروز : 87
بازدید هفته : 566
بازدید ماه : 566
بازدید سال : 38,440
بازدید کلی : 344,948
اطلاعات شما
آی پی : 3.147.66.142
مرورگر : Safari 5.1
سیستم عامل :
امروز : دوشنبه 11 تیر 1403